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三極管

三(san)極管,全稱應為半(ban)導體(ti)三(san)極管,也(ye)稱、晶體(ti)三(san)極管,是(shi)一種控制電流的半(ban)導體(ti)器(qi)件其(qi)作用是(shi)把微弱信號(hao)放大成(cheng)幅度值較(jiao)大的電信號(hao), 也(ye)用作無(wu)觸點開關。

三(san)極管是(shi)半導體基(ji)本(ben)元器件之一,具有電(dian)流放大(da)作用,是(shi)電(dian)子電(dian)路的核心元件。三(san)極管是(shi)在一塊半導體基(ji)片上制作兩個相距很近的PN結(jie),兩個PN結(jie)把(ba)整塊半導體分(fen)成三(san)部(bu)分(fen),中間部(bu)分(fen)是(shi)基(ji)區,兩側部(bu)分(fen)是(shi)發(fa)射區和集電(dian)區,排列方式有PNP和NPN兩種

基本釋義

什么(me)是(shi)三極管 (也稱(cheng)晶體管)在中文含義里面只是(shi)對(dui)三個(ge)引腳的(de)(de)放大器(qi)件的(de)(de)統稱(cheng),我們常說(shuo)的(de)(de)三極管,可能是(shi) 如圖所示的(de)(de)幾種器(qi)件。

可(ke)以看到,雖然(ran)都(dou)叫三極管,其實(shi)在英文(wen)里面的(de)說法是千差萬別的(de),三極管這個詞(ci)匯(hui)其實(shi)也是中文(wen)特有的(de)一個象形意義(yi)上(shang)的(de)的(de)詞(ci)匯(hui)。

電子(zi)三(san)(san)極(ji)管(guan)(guan) Triode 這(zhe)(zhe)個(ge)是(shi)(shi)英漢字典里(li)面"三(san)(san)極(ji)管(guan)(guan)"這(zhe)(zhe)個(ge)詞匯的(de)唯一(yi)英文(wen)翻(fan)譯(yi)(yi),這(zhe)(zhe)是(shi)(shi)和電子(zi)三(san)(san)極(ji)管(guan)(guan)最早出現有關系的(de),所(suo)以(yi)先入(ru)為主,也是(shi)(shi)真正意義上的(de)三(san)(san)極(ji)管(guan)(guan)這(zhe)(zhe)個(ge)詞最初(chu)所(suo)指的(de)物品。其余的(de)那些被中文(wen)里(li)叫做三(san)(san)極(ji)管(guan)(guan)的(de)東(dong)西,實際翻(fan)譯(yi)(yi)的(de)時候是(shi)(shi)絕對不可以(yi)翻(fan)譯(yi)(yi)成Triode的(de),否則就麻煩大(da)咯,嚴謹地說,在(zai)英文(wen)里(li)面根本(ben)就沒有三(san)(san)個(ge)腳的(de)管(guan)(guan)子(zi)這(zhe)(zhe)樣一(yi)個(ge)詞匯!

電(dian)子三極管 Triode (俗稱的一種(zhong))

雙極型(xing) BJT (Bipolar Junction Transistor)

J型(xing) Junction gate FET(Field Effect Transistor)

半(ban)導體場效(xiao)應晶體管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文(wen)全稱

V型槽場效應管 VMOS (Vertical Metal Oxide Semiconductor )

注:這三(san)者看上去都(dou)是場效(xiao)應(ying)管(guan)(guan),其實(shi)金屬氧(yang)化物(wu)半導體(ti)(ti)場效(xiao)應(ying)晶體(ti)(ti)管(guan)(guan) 、V型槽溝道場效(xiao)應(ying)管(guan)(guan) 是 單極(ji)(Unipolar)結構的,是和 雙極(ji)(Bipolar)是對應(ying)的,所以(yi)也可以(yi)統稱(cheng)為(wei)(Unipolar Junction Transistor)

其中(zhong)J型場(chang)效應管是非絕(jue)緣型,MOS FET 和(he)VMOS都是絕(jue)緣型的場(chang)效應管

VMOS是在 MOS的(de)基礎(chu)上改進(jin)的(de)一種(zhong)大電流(liu)(liu),高放(fang)大倍數(shu)(跨道(dao))新型(xing)(xing)功率(lv)晶(jing)體管,區別就是使(shi)用了V型(xing)(xing)槽,使(shi)MOS管的(de)放(fang)大系(xi)數(shu)和工作電流(liu)(liu)大幅提升(sheng),但是同時也大幅增加了MOS的(de)輸入電容(rong),是MOS管的(de)一種(zhong)大功率(lv)改進(jin)型(xing)(xing)產品,但是結構(gou)上已經(jing)與(yu)傳統的(de)MOS發生了巨大的(de)差異。VMOS只有增強型(xing)(xing)的(de)而沒有MOS所特有的(de)耗盡型(xing)(xing)的(de)MOS管

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