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mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導(dao)體(ti)(semiconductor)場效應晶體(ti)管，或者稱(cheng)是金屬-(insulator)-半導體。MOS管的(de)source和(he)drain是(shi)可以對調(diao)的(de)，他們都是(shi)在P型backgate中形成的(de)N型區(qu)。在多數情況下，這個(ge)兩(liang)(liang)個(ge)區(qu)是(shi)一樣的(de)，即使兩(liang)(liang)端對調(diao)也不會影響器件的(de)性能。這樣的(de)器件被認為是(shi)對稱(cheng)的(de)。
(FET)，把(ba)輸(shu)(shu)(shu)入電壓的(de)變化轉(zhuan)化為(wei)輸(shu)(shu)(shu)出(chu)電流的(de)變化。FET的(de)增益等于它(ta)的(de)跨導， 定義為(wei)輸(shu)(shu)(shu)出(chu)電流的(de)變化和(he)輸(shu)(shu)(shu)入電壓變化之比。市面(mian)上常有的(de)一(yi)般為(wei)N溝道和(he)P溝道，詳情(qing)參考右(you)側圖片(P溝道耗盡(jin)型MOS管(guan)(guan))。而P溝道常見(jian)的(de)為(wei)低(di)壓mos管(guan)(guan)。
場效應管(guan)(guan)(guan)通(tong)過投影一(yi)個(ge)(ge)在一(yi)個(ge)(ge)絕緣(yuan)層上來(lai)影響流(liu)(liu)過晶體管(guan)(guan)(guan)的(de)電(dian)流(liu)(liu)。事實上沒有電(dian)流(liu)(liu)流(liu)(liu)過這個(ge)(ge)絕緣(yuan)體，所(suo)以FET管(guan)(guan)(guan)的(de)GATE電(dian)流(liu)(liu)非常(chang)小。最普通(tong)的(de)FET用(yong)一(yi)薄層來(lai)作為(wei)GATE極下的(de)。這種晶體管(guan)(guan)(guan)稱(cheng)為(wei)半導(dao)體(MOS)晶體管(guan)(guan)(guan)，或(huo),金屬氧化物半導(dao)體場效應管(guan)(guan)(guan)(MOSFET)。因為(wei)MOS管(guan)(guan)(guan)更小更省電(dian)，所(suo)以他們已經(jing)在很多(duo)應用(yong)場合取(qu)代(dai)了(le)雙極型(xing)晶體管(guan)(guan)(guan)。
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